发明授权
- 专利标题： 偏置深沟槽隔离
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申请号： CN201710068814.2申请日： 2017-02-08
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公开(公告)号： CN107195644B公开(公告)日： 2021-05-18
- 发明人: 郑源伟 , 陈刚 , 毛杜立 , 戴森·H·戴 , 马毅
- 申请人： 豪威科技股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 豪威科技股份有限公司
- 当前专利权人： 豪威科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 齐杨
- 优先权： 15/071,035 20160315 US
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
本申请案涉及偏置深沟槽隔离。图像传感器包含安置在半导体材料中的多个光电二极管，及耦合到负电压源的穿半导体通孔。深沟槽隔离结构安置在所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间以电且光学地隔离所述个别光电二极管。所述深沟槽隔离结构包含耦合到所述穿半导体通孔的导电材料，及安置在所述深沟槽隔离结构的侧壁上且介于所述半导体材料与所述导电材料之间的电介质材料。
公开/授权文献
- CN107195644A 偏置深沟槽隔离 公开/授权日：2017-09-22
IPC分类:
