发明授权
CN107195670B GaN基增强型MOS-HEMT器件及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: GaN基增强型MOS-HEMT器件及其制备方法
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申请号: CN201710509569.4申请日: 2017-06-28
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公开(公告)号: CN107195670B公开(公告)日: 2020-06-16
- 发明人: 张有润 , 刘程嗣 , 刘影 , 庞慧娇 , 胡刚毅 , 张波
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 敖欢; 葛启函
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/51 ; H01L21/335 ; H01L29/778
摘要:
本发明提供一种GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法,从下至上依次包括:Si衬底、GaN层、AlGaN层、钝化层、处于栅下AlGaN层中由金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物,合金化合物上侧覆盖有氧化钽栅介质层,金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物是通过在氮气环境下高温退火使氧化钽栅介质层下的AlGaN层上表面部分与钽金属反应生成的,产生类似栅槽刻蚀的作用从而实现增强型HEMT,合金化合物生成后剩余的钽金属在氧气环境高温氧化生成氧化钽栅介质层,形成氧化钽栅介质的MOS‑HEMT;本发明避免了高精度干法刻蚀GaN基材料的复杂工艺,避免了等离子刻蚀栅凹槽过程对晶格造成损伤,具有简化工艺、可操作性高、提高器件性能等特点。
公开/授权文献
- CN107195670A GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法 公开/授权日:2017-09-22