发明公开
- 专利标题: 半导体装置及半导体装置的制造方法
- 专利标题(英): SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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申请号: CN201710107383.6申请日: 2017-02-27
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公开(公告)号: CN107204360A公开(公告)日: 2017-09-26
- 发明人: 田中裕之 , 大井幸多 , 小野泽勇一 , 伊仓巧裕 , 杉村和俊
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县川崎市
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县川崎市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 孙昌浩; 李盛泉
- 优先权: 2016-053015 20160316 JP
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L27/02
摘要:
本发明提供容易微细加工的保护环部。还提供一种半导体装置,具备:半导体基板;有源区,其形成于半导体基板;以及保护环部,其在半导体基板形成于有源区的外侧,保护环部具有:保护环,其呈环状地形成在半导体基板的上表面;层间绝缘膜,其形成于保护环的上方;场板,其沿着保护环在层间绝缘膜的上方形成为环状;以及钨插塞,其沿着保护环形成为环状,贯穿层间绝缘膜而将保护环与场板连接。
IPC分类: