本发明提供一种硅晶圆的制造方法，透过施加热处理于一被处理硅晶圆，而制造于表层具有无缺陷区域的硅晶圆，制造方法包含：步骤A，透过自上方加热被处理硅晶圆的第一热源，而仅对被处理硅晶圆的上侧的表层以1300℃以上且硅的熔点以下的温度，进行0.01msec以上且100msec以下的第一急速热处理；以及步骤B，透过加热被处理硅晶圆的第二热源所进行的第二急速热处理，而对被处理硅晶圆以1100℃以上且不超过1300℃的温度维持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降温速度降温。由此，能够于块体能够形成高密度的BMD，TDDB特性良好的单晶硅晶圆。