- 专利标题: 一种制备钼氧根修饰的四元硫化物量子点光催化剂的方法
- 专利标题(英): Method for preparing molybdyl modified quaternary sulfide quantum dot photocatalyst
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申请号: CN201710405049.9申请日: 2017-05-31
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公开(公告)号: CN107243349A公开(公告)日: 2017-10-13
- 发明人: 邵荣 , 谭丽丽 , 毛宝东 , 宫关 , 王勃
- 申请人: 盐城工学院 , 江苏大学
- 申请人地址: 江苏省盐城市亭湖区希望大道中路1号;
- 专利权人: 盐城工学院,江苏大学
- 当前专利权人: 盐城工学院,江苏大学
- 当前专利权人地址: 江苏省盐城市亭湖区希望大道中路1号;
- 代理机构: 南京知识律师事务所
- 代理商 万婧
- 主分类号: B01J27/051
- IPC分类号: B01J27/051 ; C01B3/04 ; B82Y40/00
摘要:
本发明涉到Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ2族金属硫化物,特指一种以醋酸铜,醋酸锌,硝酸铟,L‑半胱氨酸,硫代乙酰胺,钼酸钠为原料制备钼氧根修饰的CuInZnS量子点光催化剂的方法。本发明涉及钼氧根修饰Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ2族四元CuInZnS纳米晶,CuInZnS纳米晶是直接窄带隙,可见光响应的四元半导体,带隙连续可调,量子点材料拥有较大的比表面积,提供了较多的活性位点,自身量子化优势使半导体获得较大的电荷迁移速率,有利于提高增强光催化性能;钼酸根通过和纳米晶表面硫空位的静电结合,修饰于CuInZnS纳米晶上,大大提升纳米晶对光的吸收,优化产氢活性。
公开/授权文献
- CN107243349B 一种制备钼氧根修饰的四元硫化物量子点光催化剂的方法 公开/授权日:2020-08-11