- 专利标题: 一种表面隧穿微型电子源及其阵列和实现方法
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申请号: CN201710390423.2申请日: 2017-05-27
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公开(公告)号: CN107248489B公开(公告)日: 2020-03-24
- 发明人: 魏贤龙 , 吴功涛
- 申请人: 北京大学
- 申请人地址: 北京市海淀区颐和园路5号
- 专利权人: 北京大学
- 当前专利权人: 北京大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区颐和园路5号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 王学强
- 优先权: 201610757325.3 2016.08.29 CN
- 主分类号: H01J37/073
- IPC分类号: H01J37/073 ; H01J9/18
摘要:
本发明公布了一种表面隧穿微型电子源及其阵列和实现方法,所述表面隧穿微型电子源是平面多区结构,包括一绝缘衬底,在绝缘衬底表面具有两个导电区域和一个绝缘区域,其中,所述绝缘区域位于两个导电区域之间并与两个导电区域相连,两个导电区域的最小间隔即所述绝缘区域的最小宽度≤100nm。相比于现有垂直多层结构的隧穿电子源,本发明电子源及其阵列具有电子发射效率高、结构简单、加工方便、易于大规模阵列集成等优点,可以广泛地应用于涉及电子源的各种电子器件,例如X射线管、微波管、平板显示器等。
公开/授权文献
- CN107248489A 一种表面隧穿微型电子源及其阵列和实现方法 公开/授权日:2017-10-13