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发明授权
CN107251237B 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备 有权

  • 专利标题： 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备
  • 申请号： CN201580001169.1
    申请日： 2015-08-18
  • 公开(公告)号： CN107251237B
    公开(公告)日： 2019-12-13
  • 发明人: 邹泉波 , 王喆
  • 申请人： 歌尔股份有限公司
  • 申请人地址： 山东省潍坊市高新技术开发区东方路268号
  • 专利权人： 歌尔股份有限公司
  • 当前专利权人： 歌尔股份有限公司
  • 当前专利权人地址： 山东省潍坊市高新技术开发区东方路268号
  • 代理机构： 北京博雅睿泉专利代理事务所
  • 代理商 杨国权; 马佑平
  • 国际申请： PCT/CN2015/087414 2015.08.18
  • 国际公布： WO2017/028206 EN 2017.02.23
  • 进入国家日期： 2015-12-29
  • 主分类号： H01L33/00
  • IPC分类号： H01L33/00
微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备
摘要：
本发明公开了一种微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备。该用于修复微发光二极管缺陷的方法包括：获取接收衬底上的微发光二极管缺陷图案；在激光透明的修复载体衬底(707)上形成对应于缺陷图案的微发光二极管(703b)；使修复载体衬底(707)上的微发光二极管(703b)与接收衬底上的缺陷位置对准，并使微发光二极管(703b)与缺陷位置处的接垫接触；以及从修复载体衬底侧用激光照射修复载体衬底，以从修复载体衬底(707)剥离微发光二极管。
摘要（英）：

A repairing method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED are disclosed. The method for repairing micro-LED defects comprises: obtaining a micro-LED defect pattern on a receiving substrate; forming micro-LEDs (703b) corresponding to the defect pattern on a laser-transparent repair carrier substrate (707); aligning the micro-LEDs (703b) on the repair carrier substrate (707) with defect positions on the receiving substrate, and bringing the micro-LEDs (703b) into contact with pads at the defect positions; and irradiating the repair carrier substrate with a laser from the repair carrier substrate side, to lift-off the micro-LEDs from the repair carrier substrate (707).

公开/授权文献
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