本发明提供了一种栅金属汇流条芯片结构设计及其制作方法，芯片结构自下而上依次包括金属电极117、衬底111、长条形元胞掺杂区112、长条梯形多晶栅113和绝缘层116；金属汇流条114 T型设于所述绝缘层116中部，其下表面与所述长条梯形多晶栅113电连接；正面金属电极115对称设嵌于所述绝缘层116上部，与n+/p+掺杂区欧姆接触，与长条梯形多晶栅113和金属汇流条114电隔离。本发明提供的技术方案，可以在不增加工艺步骤的前提下，更改版图结构设计，采用高信号传输速率的金属作为栅汇流条替代原有的多晶栅汇流条，一方面提高功率半导体器件单芯片动态一致性，另一方面增加栅控mos沟道区，提高有源区通流能力。