Invention Grant
- Patent Title: 接触垫结构及其制造方法
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Application No.: CN201710200967.8Application Date: 2017-03-30
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Publication No.: CN107301990BPublication Date: 2019-10-18
- Inventor: 江昱维 , 叶腾豪 , 邱家荣 , 林志曜
- Applicant: 旺宏电子股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- Assignee: 旺宏电子股份有限公司
- Current Assignee: 旺宏电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 任岩
- Priority: 15/099,316 2016.04.14 US
- Main IPC: H01L23/522
- IPC: H01L23/522 ; H01L21/768 ; H01L21/60

Abstract:
一种接触垫结构,包括交替堆叠的N层(N≥6)绝缘层及N层导电层,且具有排成二维阵列的N个区域露出各导电层。当所述导电层由下至上编号为第1至第N导电层时,同列的区域中露出的导电层的编号Ln朝一行方向递减,相邻两列的区域之间的Ln值差异固定,同行的区域中Ln由两端向中央渐减,且相邻两行的区域之间的Ln值差异固定。
Public/Granted literature
- CN107301990A 接触垫结构及其制造方法 Public/Granted day:2017-10-27
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