发明授权
- 专利标题: 宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法
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申请号: CN201710454647.5申请日: 2017-06-15
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公开(公告)号: CN107315215B公开(公告)日: 2020-12-08
- 发明人: 费广涛 , 谢秉合 , 许少辉
- 申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院 , 中国科学技术大学
- 申请人地址: 安徽省合肥市蜀山湖路350号2号楼1110信箱;
- 专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院,中国科学技术大学
- 当前专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院,中国科学技术大学
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市蜀山湖路350号2号楼1110信箱;
- 代理机构: 合肥和瑞知识产权代理事务所
- 代理商 任岗生
- 主分类号: G02B5/22
- IPC分类号: G02B5/22 ; G02B1/10 ; C01G21/21
摘要:
本发明公开了一种宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法。薄膜由覆于衬底上的硫化铅晶粒组成,其中,薄膜的厚度为500‑540nm,硫化铅晶粒的粒径为6‑10nm,由粒径6‑10nm的硫化铅晶粒组成的薄膜于450‑2200nm波段呈现吸收峰;方法采用化学浴沉积法,即先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中,得到混合液,再向混合液中加入去离子水,得到反应液,之后,先将衬底置于搅拌下的70‑80℃的反应液中至少2h,再对得到的其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥,制得目的产物。它具有较宽的波段吸收特性,极易于广泛地商业化应用于光电探测、太阳能涂覆吸收层、气敏检测等领域。
公开/授权文献
- CN107315215A 宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法 公开/授权日:2017-11-03