本发明提供了一种适用于多晶太阳电池三层减反射膜的镀膜工艺。它解决了现有制备工艺比较复杂，耗电量大，制备的成本比较高，并且单层氮化硅减反射膜硅太阳能电池的反射率还是很高，返工率也较高等技术问题。本适用于多晶太阳电池三层减反射膜的镀膜工艺，包括如下步骤：a、对晶体硅片进行清洗制绒、扩散和刻蚀；b、将步骤a中完成的晶体硅片通过装卸片系统装到石墨舟上，将其放入管式PECVD进行预沉积和清洗；c、将步骤b中完成的晶体硅片用管式PECVD沉积；d、将步骤c中完成的晶体硅片用管式PECVD再次沉积；e、将步骤d中完成的晶体硅片用管式PECVD再次沉积；f、通过装卸片系统对石墨舟的晶体硅片进行冷却，并将其取下。本发明具有产品性能高的优点。