发明授权
CN107335937B 制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法
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申请号: CN201710627401.3申请日: 2017-07-28
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公开(公告)号: CN107335937B公开(公告)日: 2019-10-01
- 发明人: 唐建超 , 邓伟 , 唐文骏 , 王进
- 申请人: 成都盘涅科技有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市高新区天府大道中段500号1栋13楼1301
- 专利权人: 成都盘涅科技有限公司
- 当前专利权人: 成都盘涅科技有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区天府大道中段500号1栋13楼1301
- 代理机构: 成都中玺知识产权代理有限公司
- 代理商 谭昌驰; 邢伟
- 主分类号: B23K31/02
- IPC分类号: B23K31/02 ; C23C24/10 ; B23K101/36
摘要:
本发明提供了一种制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法以及提高铝合金电子器件封装气密性的方法。所述制造方法包括:将电子元件置于铝合金壳体中,对铝合金壳体的缝隙进行焊接;对所述焊接形成的焊缝进行清洁处理;设置覆盖焊缝外表面的待熔覆粉末层,进行激光熔覆并控制熔覆温度始终不高于第一温度,以在所述焊缝上形成致密结合层,其中,所述第一温度为所述电子元件的温度耐受上限值。本发明能够显著提高铝合金电子器件封装的气密性和成品率,且无需外加保护气体,成本低、操作简便。
公开/授权文献
- CN107335937A 制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法 公开/授权日:2017-11-10
IPC分类: