发明公开
- 专利标题: 经应力及温度补偿的霍尔传感器及方法
- 专利标题(英): STRESS AND TEMPERATURE COMPENSATED HALL SENSOR, AND METHOD
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申请号: CN201710325735.5申请日: 2017-05-10
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公开(公告)号: CN107356269A公开(公告)日: 2017-11-17
- 发明人: S·休伯 , 林登贝格尔 , S·法兰西斯
- 申请人: 迈来芯电子科技有限公司
- 申请人地址: 瑞士伯韦
- 专利权人: 迈来芯电子科技有限公司
- 当前专利权人: 迈来芯电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 瑞士伯韦
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 杨洁; 蔡悦
- 优先权: 16168968.2 2016.05.10 EP
- 主分类号: G01D5/14
- IPC分类号: G01D5/14
摘要:
一种用于测量磁场强度的集成半导体设备(100、200、1500),包括:霍尔传感器(11)、具有第一应力灵敏度(SS1)和第一温度灵敏度(TS1)的第一侧向各向同性传感器(21)、具有第二应力灵敏度(SS2)和第二温度灵敏度(TS2)的第二侧向各向同性传感器(31)、任选的放大装置(13)、数字化装置(14);以及计算装置,其被配置成基于可被表示成仅含两个参数(Δσiso、ΔT或V1、V2)的n阶多项式的预定义的公式来在数字域中计算经应力和温度补偿的霍尔值(VHcomp)。这些参数(V1、V2)可直接从传感器元件被获得,或者它们(Δσiso、ΔT)可根据两个联立方程的组被计算出。一种获得霍尔电压信号并且针对应力和温度漂移补偿所述信号的方法。
公开/授权文献
- CN107356269B 经应力及温度补偿的霍尔传感器及方法 公开/授权日:2021-03-19