发明授权
- 专利标题: 一种阵列碳纳米薄膜的制备方法
-
申请号: CN201610326454.7申请日: 2016-05-17
-
公开(公告)号: CN107381539B公开(公告)日: 2019-10-25
- 发明人: 张伟 , 吉小超 , 于鹤龙 , 王红美 , 杜军 , 郭蕾
- 申请人: 北京睿曼科技有限公司 , 河北京津冀再制造产业技术研究有限公司 , 中国人民解放军装甲兵工程学院
- 申请人地址: 北京市石景山区金融街长安中心26号院5号楼2507
- 专利权人: 北京睿曼科技有限公司,河北京津冀再制造产业技术研究有限公司,中国人民解放军装甲兵工程学院
- 当前专利权人: 北京睿曼科技有限公司,河北京津冀再制造产业技术研究有限公司,中国人民解放军装甲兵工程学院
- 当前专利权人地址: 北京市石景山区金融街长安中心26号院5号楼2507
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 赵青朵
- 主分类号: C01B32/162
- IPC分类号: C01B32/162
摘要:
本发明提供了一种阵列碳纳米管薄膜的制备方法,包括以下步骤:将基底置于PECVD腔体中的金属网罩中,金属网罩上方放置依次叠加的两块催化剂金属板;在PEVCD腔体中通入反应气体,加热后接通电源,反应后在基底表面得到催化剂薄膜;将PEVCD腔体加热后通入碳源和载气,接通电源,反应后在基底表面得到阵列碳纳米管薄膜。本申请催化剂薄膜和阵列碳纳米管薄膜在同一PECVD腔体内完成,且能够实现连续制备,提高了阵列碳纳米管薄膜制备的效率;另一方面,低温制备使得阵列碳纳米管薄膜能够应用于很多不耐高温的领域。
公开/授权文献
- CN107381539A 一种阵列碳纳米薄膜的制备方法 公开/授权日:2017-11-24