- 专利标题： 基于电化学约束刻蚀的阵列电极及其加工方法
- 专利标题（英）： Array electrode based on electrochemical confined etching and processing method of array electrode
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申请号： CN201710524891.4申请日： 2017-06-30
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公开(公告)号： CN107385504A公开(公告)日： 2017-11-24
- 发明人: 胡振江 , 闫永达 , 詹东平 , 曹永智 , 赵学森 , 韩联欢
- 申请人： 哈尔滨工业大学 , 厦门大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学,厦门大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学,厦门大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 高媛
- 主分类号： C25F7/00
- IPC分类号： C25F7/00 ; C25F3/02 ; B23H3/04 ; B23H3/00 ; B81C1/00 ; B81B7/04 ; B82Y40/00
摘要：
基于电化学约束刻蚀的阵列电极及其加工方法。本发明涉及一种基于电化学约束刻蚀的阵列电极及其加工方法。所述的主控制系统将控制信号发送给电化学工作站、阵列电极控制与运动控制系统，所述的电化学工作站、阵列电极控制与运动控制系统再将信号反馈给主控制系统。本发明用于基于电化学约束刻蚀的阵列电极。
公开/授权文献
- CN107385504B 阵列电极的电化学约束刻蚀系统 公开/授权日：2019-03-19