芯片封装体和形成芯片封装体的方法
摘要:
在各种实施例中,提供了一种芯片封装体。所述芯片封装体可包括包含芯片金属表面的芯片、与所述芯片金属表面电接触的金属接触结构以及包括与所述芯片金属表面和/或与所述金属接触结构物理接触的接触层的封装材料;其中,至少在所述封装材料的接触层中,化学活性的硫、化学活性的硒和化学活性的碲的总浓度小于百万分之10个原子。
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