Invention Grant
- Patent Title: 具有受控等离子体产生的射频引导线及其使用方法
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Application No.: CN201680012721.1Application Date: 2016-02-18
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Publication No.: CN107405077BPublication Date: 2023-10-20
- Inventor: W·奥加塔 , X·I·古 , S·迈尔 , 加藤修
- Applicant: 莱彻韦斯科勒公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 莱彻韦斯科勒公司
- Current Assignee: 莱彻韦斯科勒公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 深圳市百瑞专利商标事务所
- Agent 金辉
- International Application: PCT/US2016/018482 2016.02.18
- International Announcement: WO2016/134152 EN 2016.08.25
- Date entered country: 2017-08-29
- Main IPC: A61B5/00
- IPC: A61B5/00 ; A61M25/00
Abstract:
一种射频引导线包括被构造来联接到射频发生器的芯线。所述芯线包括相对于所述射频发生器的近侧端部和远侧端部。尖端结构靠近所述远侧端部联接到所述芯线。所述尖端结构包括一个或多个边缘表面。所述一个或多个边缘表面在所述尖端结构上提供曲率半径减小的区域。在射频能量在所述尖端结构上递送期间，所述曲率半径减小的区域与所述尖端结构的其他区域相比产生更高的电场。还公开一种利用所述射频引导线消融闭塞的方法。
Public/Granted literature
- CN107405077A 具有受控等离子体产生的射频引导线及其使用方法 Public/Granted day:2017-11-28
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