一种高稳定型铜基电接触材料的制备方法
摘要:
本发明涉及一种高稳定型铜基电接触材料的制备方法,属于电子元件材料制备领域。本发明通过氯化铁和硝酸铝为原料,将铜粉掺杂制备铜铝水滑石,以水滑石作为界面结合剂,通过Ti3SiC2与铜粉复合煅烧,降低材料在高温环境下由于化学势差从而驱动界面间的原子发生扩散的现象产生,通过水滑石作为结合的界面,将陶瓷基体与铜粉颗粒进行包覆,有助于形成大量的新鲜的表层以及强制的结合面,有助于增加接触材料的接触面积,缩短扩散的距离并扩散相容,有效提高材料内部接触界面的稳定性能,同时通过界面改性作用,有效提高陶瓷基与金属材料相互渗透作用,减少材料内部孔隙的生成,提高材料致密度,从而有效提高材料导电强度。
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