- 专利标题: 一种CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极
- 专利标题(英): CdS/MoS2/Mo double-layer core-shell structure photoelectrode
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申请号: CN201710595922.5申请日: 2017-07-20
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公开(公告)号: CN107419294A公开(公告)日: 2017-12-01
- 发明人: 黄柏标 , 朱相林 , 王朋 , 王泽岩 , 张晓阳 , 秦晓燕 , 刘媛媛 , 张倩倩
- 申请人: 山东大学
- 申请人地址: 山东省济南市山大南路27号
- 专利权人: 山东大学
- 当前专利权人: 山东大学
- 当前专利权人地址: 山东省济南市山大南路27号
- 代理机构: 济南圣达知识产权代理有限公司
- 代理商 王志坤
- 主分类号: C25B11/06
- IPC分类号: C25B11/06 ; C25B11/02 ; C25B1/04
摘要:
本发明公开了一种CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极的制备方法,步骤如下:以钼网作为基底,以可溶性镉盐作为镉源,将金属镉沉积在钼网上,将沉积好的钼网置于硫化氢气氛中进行硫化,即得到CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极。本发明制备的CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极的光电转化效率高,有较大的应用前景。经实验研究发现CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极光电化学产氢性能,在光电化学测试中光电流超过三毫安,在主要吸光区域光电转化效率接近20%,性能优于传统FTO玻璃上制备的硫化镉电极。
公开/授权文献
- CN107419294B 一种CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极 公开/授权日:2019-02-19