Invention Grant
CN107488833B 一种磁电薄膜材料及其制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种磁电薄膜材料及其制备方法
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Application No.: CN201710670799.9Application Date: 2017-08-08
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Publication No.: CN107488833BPublication Date: 2019-10-01
- Inventor: 文丹丹 , 张怀武 , 李强 , 荆玉兰 , 甘功雯 , 李颉
- Applicant: 电子科技大学
- Applicant Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Agency: 电子科技大学专利中心
- Agent 吴姗霖
- Main IPC: C23C14/35
- IPC: C23C14/35 ; C23C14/18 ; C23C14/08
Abstract:
一种新型的磁电薄膜材料及其制备方法,属于功能复合材料制备技术领域。所述磁电薄膜材料包括依次沉积于非晶玻璃基片上的具有铁磁性的FeSiBC非晶材料和具有铁电性的Sm离子改性的铁酸铋,所述FeSiBC非晶材料为Fe81Si3.5B13.5C2,所述Sm离子改性的铁酸铋的化学式为Bi1‑xSmxFeO3,其中x=0.02~0.06。本发明磁电薄膜具有优良的磁电性能,可应用于小型化或微型化的多功能电磁器件上。
Public/Granted literature
- CN107488833A 一种新型的磁电薄膜材料及其制备方法 Public/Granted day:2017-12-19
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IPC分类: