Invention Grant
- Patent Title: 硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统
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Application No.: CN201710674866.4Application Date: 2017-08-09
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Publication No.: CN107493095BPublication Date: 2020-06-16
- Inventor: 孙伟锋 , 陆扬扬 , 许欢 , 祝靖 , 陆生礼 , 时龙兴
- Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
- Applicant Address: 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
- Assignee: 东南大学,东南大学—无锡集成电路技术研究所
- Current Assignee: 东南大学,东南大学—无锡集成电路技术研究所
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
- Agency: 南京苏高专利商标事务所
- Agent 柏尚春
- Main IPC: H03K17/08
- IPC: H03K17/08 ; H03K17/567 ; H03K19/003

Abstract:
一种硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统,包括驱动输入级、逻辑使能电路、电流源电路、IGBT栅极电压对时间的变化率检测电路、IGBT集电极电流对时间的二阶微分变化率检测电路以及IGBT管、肖特基二极管D1和采样电阻Rx。通过对IGBT的栅极电压VG和栅极电压的变化率dVG/dt以及集电极电流的二阶变化率d(dIc/dt)/dt进行采样和检测,实时的掌握IGBT开启过程的各个阶段,之后经过逻辑使能电路的判断并对栅驱动电路中的电流源电路进行控制,便可以改变IGBT开启过程的驱动电流大小,从而达到在IGBT的开启过程中抑制电流振荡减小电流过冲和开启损耗的目的。
Public/Granted literature
- CN107493095A 硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统 Public/Granted day:2017-12-19
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