发明公开
- 专利标题: 一种碳化硅陶瓷预制体、铝基碳化硅陶瓷材料及其制备方法
- 专利标题(英): Silicon carbide ceramic perform, aluminum-based silicon carbide ceramic material, and preparation method of same
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申请号: CN201710620667.5申请日: 2017-07-27
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公开(公告)号: CN107500772A公开(公告)日: 2017-12-22
- 发明人: 马少杰 , 杨小猛
- 申请人: 苏州诺瑞达新材料科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市吴江区芦荡路299号
- 专利权人: 苏州诺瑞达新材料科技有限公司
- 当前专利权人: 苏州诺瑞达新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市吴江区芦荡路299号
- 主分类号: C04B35/565
- IPC分类号: C04B35/565 ; C04B35/626 ; C04B35/622 ; C04B41/88 ; C04B35/624 ; C04B38/06 ; C04B35/634 ; B28B1/00
摘要:
本发明公开了一种碳化硅陶瓷预制体、铝基碳化硅陶瓷材料及其制备方法,涉及材料及其制备技术领域,解决了现有制备工艺制备的碳化硅陶瓷预制体的强度低、结构不均一及碳化硅的体积分数低的技术问题。本发明的主要技术方案为:将制备碳化硅陶瓷预制体的原料混合均匀,制得原料料浆;制备碳化硅陶瓷预制体的原料包括碳化硅、分散剂、有机单体及水;将引发剂加入至原料料浆中,混合均匀后得到陶瓷料浆;对陶瓷料浆依次进行真空除气处理、注模成型、脱模干燥,得到陶瓷素坯;将陶瓷素坯在800-1200℃下进行烧结处理,得到碳化硅陶瓷预制体。本发明主要用于制备出高强度、结构均一的碳化硅陶瓷预制体,进而制备出高性能的铝基碳化硅陶瓷材料。