- 专利标题: 一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法
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申请号: CN201610486297.6申请日: 2016-06-27
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公开(公告)号: CN107540014B公开(公告)日: 2019-08-16
- 发明人: 刘岗 , 吴亭亭 , 甄超 , 成会明
- 申请人: 中国科学院金属研究所
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 代理机构: 沈阳优普达知识产权代理事务所
- 代理商 张志伟
- 主分类号: B01J21/06
- IPC分类号: B01J21/06
摘要:
本发明涉及异质种子中孔金属氧化物制备领域,具体为一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长的制备方法。该方法通过湿化学过程以四氯化钛作为前驱体,含有异质种子的二氧化硅球作为模板,水热生长具有特定晶面暴露的金红石二氧化钛,刻蚀模板后得到含异质种子的中孔单晶金红石二氧化钛,能够实现异质种子外延生长助催化剂,解决了催化剂与助催化剂界面接触质量较差,光催化效率较低的问题。与传统种子模板法不同,本发明将四氯化钛前驱体和含异质种子二氧化硅模板装入反应釜中,经加热处理,刻蚀后得到特定晶面暴露的中孔单晶金红石二氧化钛。
公开/授权文献
- CN107540014A 一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法 公开/授权日:2018-01-05