发明公开
CN107573067A 锆钛酸铅基压电陶瓷片的低温烧结方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 锆钛酸铅基压电陶瓷片的低温烧结方法
- 专利标题(英): Low-temperature sintering method of lead zirconate titanate-based piezoelectric ceramic piece
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申请号: CN201710758267.0申请日: 2017-08-29
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公开(公告)号: CN107573067A公开(公告)日: 2018-01-12
- 发明人: 李元勋 , 郑阳 , 陈大明 , 郁国良 , 李亚菲 , 苏桦 , 刘悦 , 张怀武
- 申请人: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学,电子科技大学广东电子信息工程研究院
- 当前专利权人: 电子科技大学,电子科技大学广东电子信息工程研究院
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 敖欢; 葛启函
- 主分类号: C04B35/493
- IPC分类号: C04B35/493 ; C04B35/64 ; H01L41/43
摘要:
本发明提供一种锆钛酸铅基压电陶瓷片的低温烧结方法,包括下述步骤:将PbO原料粉体、ZrO2原料粉体、TiO2原料粉体及Sm2O3原料粉体按Pb1-xSmx(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3化学通式进行配料,获得混合粉体;球磨,烘干,并预烧得到预烧结粉体;用淬火法制备玻璃助烧剂LBBS,将预烧结粉体与玻璃助烧剂混合、球磨、烘干、造粒,并压片得到压电陶瓷生坯;将压电陶瓷生坯进行排胶和烧结,得到压电陶瓷片,本发明将压电陶瓷片的烧结温度从1000℃以上降低至850℃,很大程度上减少了铅(熔点为980℃)的挥发,减轻了对人体的损害及环境的污染,提高了陶瓷烧结的致密化,相对密度达到95%。
IPC分类: