Invention Grant
CN107574465B 一种中空IRMOF-3薄膜的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种中空IRMOF-3薄膜的制备方法
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Application No.: CN201710690545.3Application Date: 2017-08-14
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Publication No.: CN107574465BPublication Date: 2019-04-12
- Inventor: 魏金枝 , 王雪亮
- Applicant: 哈尔滨理工大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- Assignee: 哈尔滨理工大学
- Current Assignee: 哈尔滨理工大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- Main IPC: C25D9/02
- IPC: C25D9/02
Abstract:
一种中空IRMOF‑3薄膜的制备方法。本发明涉及一种利用晶种‑电化学法相结合的方法在金属锌电极表面形成中空IRMOF‑3薄膜的制备方法。本发明的目的是要实现在金属锌片上生长一层中空IRMOF‑3薄膜。
Public/Granted literature
- CN107574465A 一种中空IRMOF-3薄膜的制备方法 Public/Granted day:2018-01-12
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