发明授权
- 专利标题: 双面SiP的三维封装结构的制造方法
-
申请号: CN201710875279.1申请日: 2017-09-25
-
公开(公告)号: CN107622957B公开(公告)日: 2019-11-01
- 发明人: 林耀剑
- 申请人: 江苏长电科技股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号
- 专利权人: 江苏长电科技股份有限公司
- 当前专利权人: 江苏长电科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号
- 代理机构: 北京中济纬天专利代理有限公司
- 代理商 赵海波
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56
摘要:
本发明涉及一种双面SiP的三维封装结构的制造方法,所述方法包括以下步骤:步骤一、取一临时载板;步骤二、在临时载板上贴装核心转接板;步骤三、在核心转接板正面贴装扇出型晶圆级封装结构、第一被动元件和第一3D导电部件;步骤四、塑封作业;步骤五、机械研磨露出第一3D导电部件并移除临时载板;步骤六、核心转接板背面贴装芯片、第二被动元件和第二3D导电部件;步骤七、塑封,植球作业;步骤八、下一步封装制程或者切割成单颗产品,完成测试。本发明能够使用预制的窄中心距3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构,可以降低封装模组的尺寸高度,提高封装模组的高频性能以及高度设计和翘曲控制的灵活性。
公开/授权文献
- CN107622957A 双面SiP的三维封装结构的制造方法 公开/授权日:2018-01-23
IPC分类: