Invention Publication
- Patent Title: 一种基于多屏频率选择表面的双通带设计方法
- Patent Title (English): Double-passband design method based on multi-screen frequency selection surface
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Application No.: CN201710739326.XApplication Date: 2017-08-25
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Publication No.: CN107623157APublication Date: 2018-01-23
- Inventor: 盛贤君 , 范晶晶 , 刘宁 , 张春波
- Applicant: 大连理工大学
- Applicant Address: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- Assignee: 大连理工大学
- Current Assignee: 大连理工大学
- Current Assignee Address: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- Agency: 大连理工大学专利中心
- Agent 关慧贞
- Main IPC: H01P1/20
- IPC: H01P1/20 ; H01P11/00

Abstract:
本发明一种基于多屏频率选择表面的双通带设计方法属于电磁波与微波技术领域,涉及一种多屏频率选择表面的双通带设计方法,可实现具有双通带频率的滤波特性。设计方法中,采用三屏FSS和两层平行放置的介质基板,三屏FSS平行且相对于介质基底对称,频率选择表面单元结构排布方式为正方形排列,由上到下布置依次为上表面金属层、上介质层、中间金属层、下介质层、下表面金属层。该方法采用三屏FSS级联的对称结构,采用的U形旋转对称单元,提高了结构的小型化程度,增加了设计的灵活性,易调节两频带间距,实现了具有二阶滤波特性的双通带频率特性。本发明结构简单,易于实现,通带损耗小,带宽更宽,陡截止性能好。
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