发明公开
- 专利标题: 一种碳硅掺杂PPS热敏电阻的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of carbon silicon doped PPS thermistor
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申请号: CN201710847691.2申请日: 2017-09-19
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公开(公告)号: CN107629456A公开(公告)日: 2018-01-26
- 发明人: 不公告发明人
- 申请人: 苏州南尔材料科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市相城区元和街道万客隆商城7幢399室
- 专利权人: 苏州南尔材料科技有限公司
- 当前专利权人: 苏州南尔材料科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市相城区元和街道万客隆商城7幢399室
- 主分类号: C08L81/02
- IPC分类号: C08L81/02 ; C08L51/06 ; C08K13/06 ; C08K9/12 ; C08K9/06 ; C08K7/00 ; C08K3/02 ; C08K3/22 ; H01C17/00
摘要:
本发明公开了一种碳硅掺杂PPS热敏电阻的制备方法,本发明所得产品具有聚苯硫醚(PPS)复合材料,导电率较高,在高温环境和潮湿环境中,电阻率稳定,所述热敏电阻具有特殊工艺制备的碳硅材料作为导电填料,在增强热敏电阻的导电性能的同时,还与PPS混合树脂、非导电填料之间存在着较强的相互作用,充分发挥了碳硅材料的导热性能和机械性能,提升了热敏电阻的使用寿命。