发明授权
- 专利标题: 一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法
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申请号: CN201711045625.X申请日: 2017-10-31
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公开(公告)号: CN107645808B公开(公告)日: 2019-08-16
- 发明人: 张慧 , 任晓更 , 张健 , 宋国祥 , 张红文
- 申请人: 北京星箭长空测控技术股份有限公司
- 申请人地址: 北京市顺义区马坡镇白马路60号
- 专利权人: 北京星箭长空测控技术股份有限公司
- 当前专利权人: 广东甲沐光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市顺义区马坡镇白马路60号
- 代理机构: 宁波鄞州全方专利商标事务所
- 代理商 胡雅芳
- 主分类号: H05B33/22
- IPC分类号: H05B33/22 ; H05B33/10
摘要:
本发明提供了一种冷光片介电层的制备方法,其中,包括如下步骤:A、制备FeNi3合金亚微米球的步骤;B、对FeNi3合金亚微米球进行SiO2介电壳层包覆形成核壳结构的步骤;C、旋涂法制备介电层的步骤。本发明的优点为配比简单,制作方法简单,制得的介电层介电性能好,且微纳米颗粒无团聚现象,发光均匀。
公开/授权文献
- CN107645808A 一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法 公开/授权日:2018-01-30