本发明提供了一种3D NAND闪存结构中多晶硅插塞的制备工艺，采用干法刻蚀工艺替换了常规工艺中的第一次化学机械抛光的平坦化处理工艺，由于干法刻蚀的刻蚀气体通常具有选择性，因此可以通过选择刻蚀气体的种类来控制刻蚀的对象，从而使刻蚀精确截止于想要停留的空间位置；而由于干法刻蚀具有更高的精度和可控性，能够有效彻底的去除多余的多晶硅和顶层氮化硅，同时尽量避免对于氧化物的去除。因此，能够有效避免了多晶硅的残留，并保证多晶硅插塞高度和形貌的均匀性，从而提高产品性能。