发明公开
CN107686977A 一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法
无效 - 撤回
- 专利标题： 一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法
- 专利标题（英）： Preparation method of semiconductor molybdenum disulfide film material
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申请号： CN201710778027.7申请日： 2017-09-01
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公开(公告)号： CN107686977A公开(公告)日： 2018-02-13
- 发明人: 戴晓宸
- 申请人： 苏州云舒新材料科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市吴中区越溪街道南官渡路6号
- 专利权人： 苏州云舒新材料科技有限公司
- 当前专利权人： 苏州云舒新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市吴中区越溪街道南官渡路6号
- 代理机构： 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理商 顾伯兴
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; C23C14/06 ; C23C14/58 ; C23C14/02
摘要：
本发明公开了一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，该工艺利用酸洗和碱洗清洗活化陶瓷薄膜基底，应用磁控溅射技术将二硫化钼溅射至陶瓷薄膜表层，进而退火得到半导体二硫化钼薄膜材料。制备而成的半导体二硫化钼薄膜材料，其制作工艺简单、导电性能好、光电效应好，具有较好的应用前景。