Invention Grant
- Patent Title: 集成电路器件及制造这样的器件的方法
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Application No.: CN201710550373.XApplication Date: 2017-07-07
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Publication No.: CN107689373BPublication Date: 2023-11-14
- Inventor: 河大元 , 洪炳鹤
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 弋桂芬
- Main IPC: H01L27/088
- IPC: H01L27/088 ; H01L29/06 ; H01L21/8234
Abstract:
本发明提供一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法，该集成电路器件包括：在有源区中的彼此间隔开的多个沟道区；多个源/漏区；在有源区上的绝缘结构，该绝缘结构限定多个栅极空间；在栅极空间中的第一个中的第一栅极堆叠结构，该第一栅极堆叠结构包括第一含金属的功函数层；以及隔离堆叠结构，在与栅极空间中的与栅极空间中的第一个相邻的第二个中，该隔离堆叠结构具有与第一栅极堆叠结构不同的堆叠结构，并被配置为电隔离有源区的一部分。
Public/Granted literature
- CN107689373A 集成电路器件及制造这样的器件的方法 Public/Granted day:2018-02-13
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IPC分类:
