发明授权
- 专利标题: 一种用于生长钼酸锶晶体的方法
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申请号: CN201710991667.6申请日: 2017-10-23
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公开(公告)号: CN107723796B公开(公告)日: 2019-05-10
- 发明人: 李凌云 , 王国强 , 于岩 , 潘坚福 , 杨志锋
- 申请人: 福州大学
- 申请人地址: 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区
- 专利权人: 福州大学
- 当前专利权人: 福州大学
- 当前专利权人地址: 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区
- 代理机构: 福州元创专利商标代理有限公司
- 代理商 蔡学俊
- 主分类号: G02B1/02
- IPC分类号: G02B1/02 ; C30B29/32 ; C30B9/12
摘要:
本发明提供一种用于生长SrMoO4晶体或者激活离子掺杂SrMoO4晶体的方法,采用顶部籽晶助熔剂法制备,所用助熔剂为Na 2MoO4+B2O3或K2MoO4+B2O3的复合助熔剂。在复合助熔剂体系中,Na2MoO4或K2MoO4与B2O3的摩尔比为4:1,激活离子为Tm3+、Ho3+、Yb3+、Er3+或Pr3+。本发明所述的制备SrMoO4晶体技术方法,可以将SrMoO4晶体的生长温度降低,同时还可以有效降低熔体体系在生长过程中的挥发性,稳定晶体的生长环境。
公开/授权文献
- CN107723796A 一种用于生长钼酸锶晶体的方法 公开/授权日:2018-02-23