- 专利标题： 金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作方法及多晶硅电阻
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申请号： CN201710729961.X申请日： 2017-08-23
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公开(公告)号： CN107731674B公开(公告)日： 2018-12-14
- 发明人: 周文斌 , 张磊
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 郎志涛
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L23/64
摘要：
本发明公开了一种金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作工艺及多晶硅电阻。本发明所述制作工艺在衬底材料上先后沉积多晶硅层和二氧化硅膜，再利用高选择性蚀刻工艺，制得金属硅化钨栅极的多晶硅电阻，进而再通过高选择性的蚀刻工艺制作金属硅化钨栅极。本发明克服了金属硅化钨电阻表面电阻率明显偏低的问题，所制得的多晶硅电阻表面电阻率明显提高，这样有利于大大节省芯片面积，提高电阻性能，适合于大批量生产。
公开/授权文献
- CN107731674A 一种金属硅化钨栅极制程中多晶硅电阻制作方法及多晶硅电阻 公开/授权日：2018-02-23
IPC分类:
