低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法
摘要:
本发明公开了一种低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Ta3/4)xTi1‑xO2,其中x表示摩尔分数,x的取值为0.005~0.01。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高,通过在Ta单掺的二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素Ag,使陶瓷材料在频率为40~106Hz范围内具有高介电常数(>104)、低介电损耗(<0.14),尤其是显著降低了陶瓷材料的低频介电损耗,在40~103Hz频率范围内介电损耗始终保持在0.07以下,同时具有优异的频率及温度稳定性,保持在‑15%~15%之间,符合陶瓷电容器的参数要求,具有巨大的应用价值。
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