- 专利标题: 低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法
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申请号: CN201711013960.1申请日: 2017-10-26
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公开(公告)号: CN107746271B公开(公告)日: 2019-12-17
- 发明人: 杨祖培 , 彭惠 , 梁朋飞 , 晁小练
- 申请人: 陕西师范大学
- 申请人地址: 陕西省西安市长安南路199号
- 专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市长安南路199号
- 代理机构: 西安永生专利代理有限责任公司
- 代理商 高雪霞
- 主分类号: H01B3/12
- IPC分类号: H01B3/12 ; C04B35/46 ; C04B35/622
摘要:
本发明公开了一种低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Ta3/4)xTi1‑xO2,其中x表示摩尔分数,x的取值为0.005~0.01。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高,通过在Ta单掺的二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素Ag,使陶瓷材料在频率为40~106Hz范围内具有高介电常数(>104)、低介电损耗(<0.14),尤其是显著降低了陶瓷材料的低频介电损耗,在40~103Hz频率范围内介电损耗始终保持在0.07以下,同时具有优异的频率及温度稳定性,保持在‑15%~15%之间,符合陶瓷电容器的参数要求,具有巨大的应用价值。
公开/授权文献
- CN107746271A 低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法 公开/授权日:2018-03-02