- 专利标题： 一种Ni基单晶高温合金生长过程中枝晶间距的控制方法
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申请号： CN201710992617.X申请日： 2017-10-23
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公开(公告)号： CN107747120B公开(公告)日： 2020-11-03
- 发明人: 孟祥斌 , 李金国 , 刘纪德 , 张朝威 , 王猛 , 赵乃仁 , 王志辉 , 金涛 , 孙晓峰
- 申请人： 中国科学院金属研究所
- 申请人地址： 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 专利权人： 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人： 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址： 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 代理机构： 沈阳科苑专利商标代理有限公司
- 代理商 许宗富; 周秀梅
- 主分类号： C30B11/00
- IPC分类号： C30B11/00 ; C30B29/52
摘要：
本发明公开了一种Ni基单晶高温合金生长过程中枝晶间距的控制方法，属于单晶高温合金技术领域。该方法针对Ni基单晶高温合金，在定向凝固过程中，通过调整枝晶生长路径，达到控制枝晶间距的目的。Ni基单晶铸件枝晶粗化时，可通过改变单晶铸件生长方式来调整枝晶间距。本发明通过调整枝晶生长路径达到控制枝晶间距的目的，为今后制备具有变截面特征的单晶结构件奠定基础。
公开/授权文献
- CN107747120A 一种Ni基单晶高温合金生长过程中枝晶间距的控制方法 公开/授权日：2018-03-02
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