• 专利标题: 一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法
  • 申请号: CN201710996898.6
    申请日: 2017-10-20
  • 公开(公告)号: CN107747130B
    公开(公告)日: 2018-09-11
  • 发明人: 窦卫东
  • 申请人: 绍兴文理学院
  • 申请人地址: 浙江省绍兴市城南大道900号数理信息学院
  • 专利权人: 绍兴文理学院
  • 当前专利权人: 绍兴文理学院
  • 当前专利权人地址: 浙江省绍兴市城南大道900号数理信息学院
  • 代理机构: 浙江永鼎律师事务所
  • 代理商 陆永强
  • 主分类号: C30B29/54
  • IPC分类号: C30B29/54 C30B23/00
一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法
摘要:
一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法,属于石墨烯技术领域。本发明可用于制备高性能有机场效应器件。在有机场效应器件中,石墨烯常用作电极涂层,利用石墨烯的高电导率及其对有机分子薄膜的结晶诱导作用,提高器件中载流子的注入和传输效率,从而改善器件性能。石墨烯基底通常会诱导金属酞菁分子形成垂直于石墨烯基底的π‑π堆栈结构,这种堆栈结构不利于载流子在平行于基底表面的横向方向上传输。本技术通过在石墨烯基底上修饰厚度为1纳米的铜纳米颗粒薄层,可以实现具有单晶结构,且分子π‑π堆栈方向平行于石墨烯基底的金属酞菁单晶薄膜可控生长。
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