一种PIN型InGaAs红外探测器台面的腐蚀方法
Abstract:
本发明公开一种PIN型InGaAs红外探测器台面的腐蚀方法,其特征在于,包括:将探测器进行光刻制备出腐蚀图形;提供第一腐蚀液,所述第一腐蚀液在20~30℃的腐蚀速率为0.98μm/min‑1.08μm/min之间。利用第一腐蚀液对InGaAs探测器按照所述腐蚀图形进行第一次腐蚀,第一次腐蚀完成后,清洗,干燥;利用第二腐蚀液对所述第一次腐蚀完成后的探测器进行第二次腐蚀,腐蚀出所述腐蚀图形,得到预设的腐蚀图形的探测器。本发明提供的腐蚀方法能够快速腐蚀探测器,达到预设图形和台面高度,不用频繁更换腐蚀剂,降低了危险,同时提高了器件本身的精度和质量。
Public/Granted literature
Patent Agency Ranking
0/0