Invention Grant
- Patent Title: 一种PIN型InGaAs红外探测器台面的腐蚀方法
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Application No.: CN201711142669.4Application Date: 2017-11-17
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Publication No.: CN107749435BPublication Date: 2019-08-16
- Inventor: 黄寓洋
- Applicant: 苏州苏纳光电有限公司
- Applicant Address: 江苏省苏州市工业园区星湖街218号A4楼109C单元
- Assignee: 苏州苏纳光电有限公司
- Current Assignee: 苏州苏纳光电有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省苏州市工业园区星湖街218号A4楼109C单元
- Agency: 南京艾普利德知识产权代理事务所
- Agent 陆明耀
- Priority: 201710695940.0 2017.08.15 CN
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/105
Abstract:
本发明公开一种PIN型InGaAs红外探测器台面的腐蚀方法,其特征在于,包括:将探测器进行光刻制备出腐蚀图形;提供第一腐蚀液,所述第一腐蚀液在20~30℃的腐蚀速率为0.98μm/min‑1.08μm/min之间。利用第一腐蚀液对InGaAs探测器按照所述腐蚀图形进行第一次腐蚀,第一次腐蚀完成后,清洗,干燥;利用第二腐蚀液对所述第一次腐蚀完成后的探测器进行第二次腐蚀,腐蚀出所述腐蚀图形,得到预设的腐蚀图形的探测器。本发明提供的腐蚀方法能够快速腐蚀探测器,达到预设图形和台面高度,不用频繁更换腐蚀剂,降低了危险,同时提高了器件本身的精度和质量。
Public/Granted literature
- CN107749435A 一种PIN型InGaAs红外探测器台面的腐蚀方法 Public/Granted day:2018-03-02
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IPC分类: