发明授权
- 专利标题: 半导体器件中的电感器结构
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申请号: CN201680036575.6申请日: 2016-06-06
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公开(公告)号: CN107787514B公开(公告)日: 2020-03-13
- 发明人: U-M·乔 , Y·K·宋 , J-H·李 , J·H·永恩 , S·崔 , X·张
- 申请人: 高通股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈小刚; 陈炜
- 优先权: 14/746,652 2015.06.22 US
- 国际申请: PCT/US2016/036079 2016.06.06
- 国际公布: WO2016/209602 EN 2016.12.29
- 进入国家日期: 2017-12-21
- 主分类号: H01F17/00
- IPC分类号: H01F17/00 ; H01F27/28 ; H01F41/04
摘要:
一种电感器结构包括与电感器的第一层相对应的第一迹线集、与该电感器的第二层相对应的第二迹线集、以及与该电感器的位于第一层和第二层之间的第三层相对应的第三迹线集。第一迹线集包括第一迹线和平行于第一迹线的第二迹线。第一迹线的尺寸不同于第二迹线的对应尺寸。第二迹线集耦合至第一迹线集。第二迹线集包括耦合至第一迹线和第二迹线的第三迹线。第三迹线集耦合至第一迹线集。
公开/授权文献
- CN107787514A 半导体器件中的电感器结构 公开/授权日:2018-03-09
IPC分类:
H | 电学 |
H01 | 基本电气元件 |
H01F | 磁体;电感;变压器;磁性材料的选择 |
H01F17/00 | 信号类型的固定电感器 |