发明授权
- 专利标题: 一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法
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申请号: CN201711223572.6申请日: 2017-11-29
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公开(公告)号: CN107799294B公开(公告)日: 2019-11-29
- 发明人: 吕竹风 , 黄家炽
- 申请人: 宁德市星宇科技有限公司
- 申请人地址: 福建省宁德市东侨经济开发区林聪路18号
- 专利权人: 宁德市星宇科技有限公司
- 当前专利权人: 宁德市星宇科技有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省宁德市东侨经济开发区林聪路18号
- 代理机构: 福州市博深专利事务所
- 代理商 林志峥
- 主分类号: H01F41/02
- IPC分类号: H01F41/02 ; H01F1/057 ; C22C38/06 ; C22C38/16 ; C22C38/14 ; C23C14/24 ; C23C14/16
摘要:
本发明提供一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法,包括选择合适的基础钕铁硼并将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片,得到钕铁硼薄片;将钕铁硼薄片浸泡在盐酸溶液或硝酸溶液中5~20min后再于120~140℃环境中干燥20~120min;利用蒸镀法在干燥后的钕铁硼薄片表面附上一层重稀土金属;将表面蒸镀有重稀土金属的钕铁硼薄片先在750~790℃条件下真空渗透1~2h,然后再于951~1000℃条件下继续真空渗透处理2~4h;将真空渗透后的钕铁硼薄片在500~600℃条件下进行真空时效后再于400~450℃条件下进行真空时效,得目标产物。本发明制备方法在能提高磁体矫顽力的同时对剩磁影响小。
公开/授权文献
- CN107799294A 一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法 公开/授权日:2018-03-13