一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法
摘要:
本发明提供一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法,包括选择合适的基础钕铁硼并将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片,得到钕铁硼薄片;将钕铁硼薄片浸泡在盐酸溶液或硝酸溶液中5~20min后再于120~140℃环境中干燥20~120min;利用蒸镀法在干燥后的钕铁硼薄片表面附上一层重稀土金属;将表面蒸镀有重稀土金属的钕铁硼薄片先在750~790℃条件下真空渗透1~2h,然后再于951~1000℃条件下继续真空渗透处理2~4h;将真空渗透后的钕铁硼薄片在500~600℃条件下进行真空时效后再于400~450℃条件下进行真空时效,得目标产物。本发明制备方法在能提高磁体矫顽力的同时对剩磁影响小。
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