根据多种实施例，一种用于加工晶片的方法包括：在晶片之上扫描聚焦激光束，以在晶片内形成缺陷结构，所述缺陷结构限定出：晶片的位于缺陷结构的第一侧的第一区域、晶片的位于缺陷结构的与第一侧相反的第二侧的第二区域以及侧向围绕所述缺陷结构且从晶片的第一表面延伸到晶片的与所述第一表面相反第二表面的边缘区域。所述第一区域的表面积大于所述边缘区域的表面积，所述第二区域通过所述边缘区域连接到所述第一区域。所述方法还可包括：沿着所述缺陷结构将所述第一区域和所述第二区域彼此分离，并使第一区域保持为一体。