- 专利标题: 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
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申请号: CN201711025701.0申请日: 2017-10-27
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公开(公告)号: CN107799605B公开(公告)日: 2020-07-31
- 发明人: 苏同上 , 王东方 , 刘军 , 程磊磊 , 李伟 , 王庆贺 , 张扬 , 袁广才
- 申请人: 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市新站区工业园内
- 专利权人: 合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市新站区工业园内
- 代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司
- 代理商 申健
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L21/479 ; H01L21/477 ; H01L21/385 ; H01L21/34
摘要:
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,采用本发明提供的制备方法可以降低形成的薄膜晶体管中有源层内的杂质离子含量,提高薄膜晶体管的性能。该制备方法包括:在衬底基板上方形成栅极、栅绝缘层和有源层的步骤;其中,所述栅极与所述有源层分别形成于所述栅绝缘层的上下两侧;所述有源层中含有杂质离子;所述制备方法还包括:对所述有源层进行退火处理的同时,在所述有源层与所述栅极之间施加电压形成电场,所述电场的方向使所述杂质离子从所述有源层中移动至所述栅绝缘层中。
公开/授权文献
- CN107799605A 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 公开/授权日:2018-03-13
IPC分类: