Invention Grant
- Patent Title: 低压带隙基准电路及电压发生电路
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Application No.: CN201610825336.0Application Date: 2016-09-14
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Publication No.: CN107817860BPublication Date: 2020-01-03
- Inventor: 陈岚 , 王海永 , 柳雪晶
- Applicant: 中科芯云微电子科技有限公司
- Applicant Address: 山东省青岛市崂山区松岭路169号
- Assignee: 中科芯云微电子科技有限公司
- Current Assignee: 中科芯云微电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 山东省青岛市崂山区松岭路169号
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 王宝筠
- Main IPC: G05F1/565
- IPC: G05F1/565
Abstract:
本发明公开一种低压带隙基准电路,包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、运算放大器、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、电阻、第一电容、第二电容、切换组件和使能单元,切换组件接入两相非交叠时钟信号,在Φ1相时钟信号为高电平时,切换组件将第一电容和第二电容并联于第一节点和第二双极型晶体管的发射极之间,在Φ2相时钟信号为高电平时,切换组件将第一电容和第二电容串联于第一节点和接地点之间。本发明公开的低压带隙基准电路,不需要任何两个节点的电压精确相等,因此不需要高增益的运算放大器,能够降低电路的设计难度,并且该电路的功耗很低,适用于低电源电压的应用场合。本发明还公开一种电压发生电路。
Public/Granted literature
- CN107817860A 低压带隙基准电路及电压发生电路 Public/Granted day:2018-03-20
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IPC分类: