Invention Grant
CN107827076B 纳米结构材料结构和方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 纳米结构材料结构和方法
-
Application No.: CN201611247013.4Application Date: 2016-12-29
-
Publication No.: CN107827076BPublication Date: 2022-04-08
- Inventor: B·坎宁安 , G·G·西伊 , P·特雷福纳斯 , J·张 , J·K·帕克 , K·霍华德 , K·德什潘德 , E·特雷弗
- Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 伊利诺伊大学评议会
- Applicant Address: 美国密歇根州; ;
- Assignee: 陶氏环球技术有限责任公司,罗门哈斯电子材料有限责任公司,伊利诺伊大学评议会
- Current Assignee: 陶氏环球技术有限责任公司,罗门哈斯电子材料有限责任公司,伊利诺伊大学评议会
- Current Assignee Address: 美国密歇根州; ;
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 陈哲锋; 胡嘉倩
- Priority: 62/273749 20151231 US
- Main IPC: B81B1/00
- IPC: B81B1/00 ; B81C1/00 ; B82Y20/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00 ; C09K11/02
Abstract:
在一个方面，提供包含光子晶体的结构，所述光子晶体包含介电层，所述介电层在其中包含一种或多种发光纳米结构材料。在另一方面，提供包含介电层的结构，所述介电层在所述介电层内的不同深度处包含第一和第二组发光纳米结构材料。
Public/Granted literature
- CN107827076A 纳米结构材料结构和方法 Public/Granted day:2018-03-23
Information query
