• 专利标题: 一种规则弯曲的碲纳米线的制备方法
  • 申请号: CN201711413606.8
    申请日: 2017-12-24
  • 公开(公告)号: CN107827087B
    公开(公告)日: 2020-03-24
  • 发明人: 韩金玲吕振瑞
  • 申请人: 韩金玲
  • 申请人地址: 安徽省亳州市涡阳县城关镇涡河东路115-136号
  • 专利权人: 韩金玲
  • 当前专利权人: 韩金玲
  • 当前专利权人地址: 安徽省亳州市涡阳县城关镇涡河东路115-136号
  • 主分类号: C01B19/02
  • IPC分类号: C01B19/02 B82Y40/00
一种规则弯曲的碲纳米线的制备方法
摘要:
一种规则弯曲的碲纳米线的制备方法,将去离子水使用强磁场进行处理,经过处理后的去离子水其极性发生了很大的变化,在合成纳米材料时,这不同与普通的去离子水,之后,在还原剂和表面活性剂的共同作用下,合成出了之前不能直接得到的规则弯曲的碲纳米线,拓宽了碲纳米线的形貌,当以碲纳米线为硬模板剂合成其他材料时,改变相应材料的形貌和性能。
公开/授权文献
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