Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置
- Patent Title (English): Semiconductor device
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Application No.: CN201710699221.6Application Date: 2017-08-16
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Publication No.: CN107832246APublication Date: 2018-03-23
- Inventor: 鹿又一人
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 张小稳
- Priority: 2016-181410 2016.09.16 JP
- Main IPC: G06F13/42
- IPC: G06F13/42 ; G06F13/40

Abstract:
本公开涉及半导体装置。本发明提供了一种即使当串行数据的传送速率改变时也能适当地执行均衡的半导体装置。一种半导体装置,包括:加法电路,将输入数据和反馈数据相加并输出加和数据;第一采样电路,对来自所述加法电路的所述加和数据进行采样并输出采样数据;乘法电路,将来自所述第一采样电路的所述采样数据乘以抽头系数以产生所述反馈数据;抽头系数确定电路,在来自所述第一采样电路的所述采样数据的基础上确定所述抽头系数;以及校准电路,调整自所述第一采样电路输出所述采样数据直到与所输出的采样数据相对应的所述加和数据被供应给所述第一采样电路为止的延迟时间。
Public/Granted literature
- CN107832246B 半导体装置 Public/Granted day:2023-08-04
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