发明授权
CN107834212B 基于新型超表面的高增益高次模腔体阵列天线
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于新型超表面的高增益高次模腔体阵列天线
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申请号: CN201710952522.5申请日: 2017-10-13
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公开(公告)号: CN107834212B公开(公告)日: 2020-07-31
- 发明人: 杨琬琛 , 陈思 , 车文荃 , 孟倩 , 谷礼政 , 荀孟祝
- 申请人: 南京理工大学
- 申请人地址: 江苏省南京市孝陵卫200号
- 专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市孝陵卫200号
- 代理机构: 南京理工大学专利中心
- 代理商 朱宝庆
- 主分类号: H01Q21/06
- IPC分类号: H01Q21/06 ; H01Q1/48 ; H01Q1/50
摘要:
本发明提出了一种基于新型超表面的高增益高次模腔体阵列天线,该天线由3层PCB板组成,最下层为微带线到SIW的馈电结构,中间一层为TE220腔体结构,上层为超表面结构。该天线采用基于基片集成波导的TE220腔体高次模的馈电技术来激励2×2的天线子阵列,取代天线阵列最后几级的馈电网络,减小网络部分的损耗,提高天线阵列的增益。同时,通过加载超表面结构,增大天线的辐射口径,增强上半空间的定向性,并通过边缘补偿进一步提高天线阵列的增益,同时还保留了超表面结构的低剖面特性。
公开/授权文献
- CN107834212A 基于新型超表面的高增益高次模腔体阵列天线 公开/授权日:2018-03-23