发明授权
CN107840305B 一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法
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申请号: CN201711111653.7申请日: 2017-11-13
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公开(公告)号: CN107840305B公开(公告)日: 2019-05-10
- 发明人: 张振伟 , 陈星 , 杨仁福
- 申请人: 北京无线电计量测试研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区北京142信箱408分箱
- 专利权人: 北京无线电计量测试研究所
- 当前专利权人: 北京无线电计量测试研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区北京142信箱408分箱
- 代理机构: 北京正理专利代理有限公司
- 代理商 付生辉
- 主分类号: B81C3/00
- IPC分类号: B81C3/00 ; B81C1/00 ; G04F5/14
摘要:
本发明公开了一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法,利用槽型盖板与硅片形成一个密封腔体,使叠氮化钡BaN6和氯化铷RbCl反应生成的铷蒸汽与反应残渣分离,得到纯净的铷原子MEMS腔,提高了MEMS原子腔的透光性;通过对阳极键合机内的压强进行精确控制,使阳极键合机内的压强略高于MEMS腔体内压强,保证了在第二层硅‑玻璃阳极键合的过程中铷蒸汽不会泄漏,既保证了MEMS腔体内的充铷量又防止铷原子对键合界面的污染,提高了阳极键合的强度,同时提升了MEMS原子腔的性能。通过采用本发明的制作方法,可以去除MEMS原子腔内的杂质,透光性好,并提高MEMS原子腔的成品率。
公开/授权文献
- CN107840305A 一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法 公开/授权日:2018-03-27