发明公开
- 专利标题: 一种铸造多晶硅免喷坩埚
- 专利标题(英): Cast multi-crystalline silicon free-spraying crucible
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申请号: CN201711354124.X申请日: 2017-12-15
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公开(公告)号: CN107916451A公开(公告)日: 2018-04-17
- 发明人: 季勇升 , 陆介平 , 杜宁 , 王宇航
- 申请人: 江苏润弛太阳能材料科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省镇江市扬中市长旺新材料工业园区
- 专利权人: 江苏润弛太阳能材料科技有限公司
- 当前专利权人: 镇江润驰新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省镇江市扬中市长旺新材料工业园区
- 代理机构: 南京天华专利代理有限责任公司
- 代理商 徐冬涛; 李晓峰
- 主分类号: C30B28/06
- IPC分类号: C30B28/06 ; C30B29/06 ; C03C17/34
摘要:
本发明公开一种铸造多晶硅免喷坩埚,该坩埚包含坩埚本体,所述坩埚本体的内表面上由内到外依次喷涂有第一层涂层、第二层涂层和第三层涂层;按质量百分含量计,第一层涂层的成分包括4.5 ̄95%的氮氧化硅,4.5 ̄95%的二氧化硅和0.5 ̄5%的硅溶胶;第二层涂层的成分包括5 ̄50%的氮氧化硅,0.5 ̄50%的二氧化硅,0.5 ̄50%的氮化硅,0.5 ̄5%的硅溶胶和0.5 ̄5%的PVA;第三层涂层的成分包括0.5 ̄95%的氮氧化硅,0.5 ̄95%的氮化硅,0.5 ̄5%的PVA和0.5 ̄5%的PAA;所述第二层涂层和第三层涂层中的氮化硅涂层包括两种粒径的氮化硅;所述的氮氧化硅采用特定方法制备。本发明的多晶硅铸锭免喷坩埚可减少氮化硅掉入硅液的风险,也增加其阻挡杂质和顺利脱模的效果。
公开/授权文献
- CN107916451B 一种铸造多晶硅免喷坩埚 公开/授权日:2019-04-02
IPC分类: