发明授权
- 专利标题: MEMS麦克风及其形成方法
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申请号: CN201610879198.4申请日: 2016-10-08
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公开(公告)号: CN107920318B公开(公告)日: 2020-05-01
- 发明人: 王贤超
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅; 李时云
- 主分类号: H04R19/04
- IPC分类号: H04R19/04
摘要:
本发明提供了一种MEMS麦克风及其形成方法,包括:在振动膜上形成牺牲层,并在所述牺牲层上形成具有第一开口的导电层;于所述第一开口的侧壁上形成侧墙;在所述导电层上形成绝缘层,所述绝缘层充填位于所述牺牲层上的凹槽以形成阻隔块;去除部分所述牺牲层,使得所述振动膜与导电层之间形成一空腔。在本发明提供的MEMS麦克风的形成方法中,在导电层中开口的侧壁上形成侧墙,通过所述侧墙使需形成阻隔块的凹槽侧壁与导电层的上表面形成一平缓的表面,从而后续所形成的阻隔块不存在有致密性较差的区域,以改善所述阻隔块易被蚀刻剂侵蚀的问题。
公开/授权文献
- CN107920318A MEMS麦克风及其形成方法 公开/授权日:2018-04-17